则把精力放在了蔚蓝海岸的第三代蔚蓝手机的研发上，今年的蔚蓝海岸要发布最新一代的智能手机。

……

蓝思半导体，移动处理器事业部。

“45纳米工艺引入了高k值绝缘层金属栅极配置，这是一个里程碑的成果，英特尔开发了这项技术。这两项技术其实都是为了解决同一个问题即在很小的尺寸下，如何保证栅极有效的工作。”

说话的人是徐至军，目前他还担任着蓝思半导体的ceo，不过在移动处理器事业部他没有过多的话语权，这里是罗晟有最终拍板权，也是蓝思半导体比较特权的一个事业部，而且有独立的研发大楼，这是在双方合资成立这家公司的时候就已经约定好了。

但双方都打通了人才壁垒和专利壁垒，这一点很关键。

这场会议罗晟也在场，还有好几位科学家、研究学者、这里面包含了一些数学家等等，都汇聚在这件会议室里研讨。

现在讨论的重点就是第三代蔚蓝手机的处理器，新产品的芯片处理器采用的是45纳米制程工艺，这已经确定了，而且很多技术已经搞定了。

一位资深研究专家环视众人说道“我们的研发部门想到的是用金属做栅极，因为金属有一个效应叫做镜像电荷，可以中和掉高k材料的绝缘层里的偶极子对沟道和费米能级的影响。这样一来就两全其美了，但这几种金属究竟是什么，除了掌握该技术的那几家西方高科技企业之外，外界没人知道，这是他们的商业机密。”

绝缘层是晶体管所有的构件中，最为关键的一个，它的作用是隔绝栅极和沟道。因为栅极开关沟道是通过电场进行的，而电场的产生又是通过在栅极上加一定的电压来实现。

欧姆定律告诉人类，有电压就有电流。

如果电流从栅极流进了沟道，那还谈什么开关？

早就漏了。

另一位与会研究学者发言道“二氧化硅虽好，但在尺寸缩小到一定限度时也出现了问题。在此过程中，电场强度是不变的，那么从能带角度来看，因为电子的波动性，如果绝缘层很窄很窄的话，就有一定几率电子会发生隧穿效应而越过绝缘层的能带势垒，产生漏电流。”

说着，这名学者比划着道“可以想象为穿过一堵比自己高的墙，这个电流的大小和绝缘层的厚度，以及绝缘层的‘势垒高度’成负相关。因此厚度越小，势垒越低，漏电流越大，对晶体管越不利。另一方面，晶体管的开关性能、工作电流等都需要有一个很大的绝缘层电容。”

“可以看出，这里已经出现了一堆设计目标上的矛盾，绝缘层的厚度要不要继续缩小，实际上在这个节点之前，二氧化硅已经缩小到了不到两个纳米的厚度，也就是十几个原子层的厚度，漏电流的问题已经取代了性能问题成为了头号大敌。”

说到这里，会议室里一众学者都安静了下来。

坐在这里的都是最聪明的那批人类，有问题当然开始想办法。

人类是很贪心的，既不愿意放弃大电容的性能增强，也不愿意冒漏电的风险。

现在的情况是，需要一种材料，需要介电常数很高，同时能带势垒也很高，如此一来就可以在厚度不缩小的情况下，继续提升电容。

换句话说就是保护漏电流，又能提高开关性能这样的材料。

在学术界，近些年陆续提出了各种脑洞大开的新设计，比如隧穿晶体管、负电容效应晶体管、碳纳米管等等。

但其实所有这些设计，基本上就四个方向，材料、机理、工艺和结构。

这时，徐至军瞄了眼罗晟然后环顾众人发言道“石墨烯晶体管呢？石墨烯作沟道的思路是第二项，就是运输，因为石墨烯的电子迁移率远远高于硅。”